G4PF50WD IRG4PF50WD IGBT 51A 900V TO-247 tháo máy

Giới thiệu về G4PF50WD

G4PF50WD là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao, được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng chuyển mạch điện áp lớn và tần số trung bình. Linh kiện này kết hợp ưu điểm giữa điện áp cao của transistor lưỡng cực và khả năng điều khiển đơn giản, tiêu thụ công suất cổng thấp của MOSFET. G4PF50WD là lựa chọn phổ biến trong các hệ thống cần điều khiển công suất hiệu quả, ổn định và bền bỉ.

Đặc điểm nổi bật của G4PF50WD

• Là IGBT loại N-channel có tích hợp diode chống ngược nội.

• Chịu được điện áp cao lên tới 1000V.

• Dòng tải lớn, phù hợp với tải công suất cao.

• Điện áp điều khiển thấp, dễ tích hợp với vi điều khiển.

• Tổn thất thấp khi dẫn và khi chuyển mạch.

• Đóng gói chuẩn TO-3P giúp tản nhiệt tốt và dễ lắp đặt.

Ứng dụng của G4PF50WD

• Biến tần điều khiển động cơ điện (inverter)

• Bộ kích điện (UPS)

• Nguồn xung công suất lớn

• Hệ thống điện năng lượng tái tạo (như điện mặt trời)

• Thiết bị gia dụng công suất cao và hệ thống tự động hóa công nghiệp

Thông số kỹ thuật chính của G4PF50WD

Sơ đồ chân và cấu tạo G4PF50WD

Kích thước G4PF50WD

Xem thêm các IGBT khác tại đây

Datasheet của G4PF50WD