G30N60 G30N60RUFD IGBT 30A 600V TO-3P chính hãng ON

G30N60, G30N60RUFD IGBT 30A 600V TO-3P Chính Hãng ON

Mã sản phẩm: G30N60, G30N60RUFD
Loại sản phẩm: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Dạng gói: TO-3P
Tình trạng: Chính hãng ON Semiconductor

Sơ đồ chân cấu tạo G30N60

Thông số kỹ thuật của G30N60

• Điện áp cực đại (Vce): 600V
• Dòng điện cực đại (Ic): 30A
• Điện áp điều khiển (Vge): 15V
• Tổng công suất: Được thiết kế để xử lý công suất cao với hiệu suất ổn định và khả năng tản nhiệt tốt.
• Dạng gói: TO-3P, giúp giảm nhiệt độ và cho phép truyền tải công suất cao.
• Ứng dụng chính: Thích hợp cho các ứng dụng công suất cao, yêu cầu hiệu suất và độ tin cậy cao.

Các tính năng chính

• Chuyển mạch nhanh: G30N60 cho phép chuyển mạch nhanh chóng và hiệu quả, giảm thiểu tổn thất năng lượng và tăng hiệu suất của hệ thống.
• Hiệu suất cao: Dòng IGBT này cung cấp hiệu suất ổn định trong các ứng dụng công nghiệp, giúp giảm thiểu các vấn đề liên quan đến nhiệt độ và tổn thất công suất.
• Độ bền cao: IGBT G30N60 được thiết kế để hoạt động lâu dài và chịu được các điều kiện làm việc khắc nghiệt trong các môi trường công nghiệp.

Nguyên lý hoạt động của IGBT G30N60

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một thiết bị bán dẫn kết hợp giữa MOSFET và transistor bipolar, mang lại những ưu điểm nổi bật của cả hai loại. IGBT hoạt động như một công tắc điện, cho phép kiểm soát dòng điện lớn với tín hiệu điều khiển nhỏ tại cổng.

• Chuyển mạch: Khi điện áp điều khiển tại cổng (Vge) đủ lớn, nó sẽ kích hoạt IGBT, cho phép dòng điện chạy từ collector đến emitter. Khi điện áp cổng được giảm xuống dưới mức yêu cầu, IGBT sẽ ngừng dẫn dòng điện.
• Kết hợp ưu điểm của MOSFET và BJT: MOSFET cung cấp khả năng điều khiển cổng dễ dàng và tốc độ chuyển mạch nhanh, trong khi BJT mang lại khả năng xử lý dòng điện lớn và độ bền cao.

Ứng dụng của G30N60

IGBT G30N60 được ứng dụng rộng rãi trong các hệ thống và thiết bị yêu cầu điều khiển công suất cao, chẳng hạn như:

• Biến tần (Inverter): Sử dụng trong bộ biến tần cho động cơ điện, nâng cao hiệu suất năng lượng trong các hệ thống công nghiệp.
• Nguồn cung cấp năng lượng: Thích hợp cho các hệ thống cung cấp điện và truyền tải điện năng lớn.
• Máy phát điện: Được sử dụng trong các bộ điều khiển máy phát điện để điều khiển dòng điện và điện áp.
• Thiết bị công nghiệp: Thường xuyên có mặt trong các ứng dụng công nghiệp, đặc biệt là trong các thiết bị có yêu cầu về công suất và điện áp cao.

Ưu điểm của G30N60

• Khả năng chịu tải cao: IGBT G30N60 có thể chịu dòng điện lên tới 30A và điện áp lên tới 600V, làm việc tốt trong các ứng dụng yêu cầu công suất lớn.
• Hiệu suất tản nhiệt tốt: Gói TO-3P giúp tối ưu hóa khả năng tản nhiệt, giảm thiểu nguy cơ quá nhiệt khi hoạt động trong môi trường công suất cao.
• Ổn định và đáng tin cậy: Sản phẩm được thiết kế để đảm bảo hiệu suất ổn định trong suốt quá trình vận hành, giúp giảm thiểu lỗi và tăng độ bền của hệ thống.

Lý do nên chọn G30N60

• Chất lượng và độ tin cậy cao: G30N60 là sản phẩm chính hãng của ON Semiconductor, một thương hiệu nổi tiếng trong lĩnh vực điện tử và bán dẫn.
• Ứng dụng đa dạng: Với khả năng chịu dòng điện và điện áp cao, G30N60 có thể sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, từ hệ thống cung cấp năng lượng đến thiết bị công nghiệp.
• Tiết kiệm năng lượng: Quá trình chuyển mạch nhanh và hiệu quả của IGBT giúp giảm tổn thất năng lượng trong các ứng dụng công suất cao.

Kết luận

IGBT G30N60 là một lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu điều khiển công suất cao và tản nhiệt tốt. Với khả năng chịu dòng điện lên tới 30A và điện áp 600V, sản phẩm này có thể hoạt động ổn định trong nhiều môi trường công nghiệp khắc nghiệt. Được sản xuất và kiểm tra bởi ON Semiconductor, G30N60 đảm bảo chất lượng cao và hiệu suất tuyệt vời, là lựa chọn hàng đầu cho các kỹ sư và nhà thầu trong ngành điện công nghiệp.

Xem thêm những mã IC khác tại đây

Dataheet của G30N60