Giới thiệu về IRFR1205
IRFR1205 là một MOSFET mạnh mẽ với khả năng chịu đựng dòng điện cao và điện trở kênh thấp, làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất công suất cao và hiệu quả.
Đặc trưng kỹ thuật
- Hiệu Suất Cao: Điện trở kênh thấp và khả năng chịu đựng dòng điện lớn giúp giảm tổn thất công suất và cải thiện hiệu suất mạch.
- Tản Nhiệt Tốt: Vỏ D2PAK cho phép tản nhiệt hiệu quả, điều này rất quan trọng trong các ứng dụng công suất cao.
- Chuyển Mạch Nhanh: Phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch cao và hiệu suất tốt.
Thông số kỹ thuật
- Dòng Drain (I_D): 80A. MOSFET này có khả năng chịu đựng dòng điện cao lên đến 80A, thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu công suất lớn.
- Điện áp chịu đựng (V_DSS): 40V. MOSFET này có thể chịu được điện áp cao giữa drain và source, lên đến 40V.
- Điện trở kênh (R_DS(on)): Khoảng 0.015 ohms (ở V_GS = 10V). Điện trở kênh thấp giúp giảm tổn thất công suất trong trạng thái dẫn.
- Vỏ: Thường có vỏ D2PAK hoặc tương đương, giúp tản nhiệt hiệu quả.
Sơ đồ cấu tạo
Ứng dụng
- Nguồn Điện: Được sử dụng trong các mạch nguồn và bộ chuyển đổi DC-DC.
- Điều Khiển Động Cơ: Thích hợp cho các mạch điều khiển động cơ và các ứng dụng công suất lớn.
- Chuyển Mạch Công Suất: Sử dụng trong các ứng dụng công tắc công suất, giúp tăng hiệu suất và giảm tổn thất.
Kích thước IRFR1205
Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Chưa có đánh giá nào.