GIỚI THIỆU CHUNG – FQA38N30
FQA38N30 là MOSFET kênh N có điện áp chịu đựng cao (300V) và dòng điện lớn (38.4A), thích hợp cho các ứng dụng công suất cao như bộ nguồn xung, điều khiển động cơ, bộ khuếch đại công suất và hệ thống chuyển đổi điện năng.
Với kiểu đóng gói TO-3PN, MOSFET này có khả năng tản nhiệt tốt, giúp hoạt động ổn định trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.
THÔNG SỐ KỸ THUẬT – FQA38N30
- Loại linh kiện: MOSFET kênh N
- Điện áp Drain-Source (VDS): 300V
- Dòng điện Drain liên tục (ID) @ 25°C: 38.4A
- Dòng điện Drain xung (IDM): 153.6A
- Điện áp Gate-Source (VGS): ±30V
- Điện trở Drain-Source (RDS(on)) @ VGS = 10V: 80 mΩ
- Công suất tiêu tán tối đa (Ptot) @ 25°C: 300W
- Điện dung đầu vào (Ciss): 4400 pF
- Kiểu đóng gói: TO-3PN
- Công nghệ: MOSFET hiệu suất cao, tối ưu tổn hao điện năng
Chưa có đánh giá nào.