FQA11N90C Mosfet kênh N 11A 900V TO-3P hàng tháo máy

MOSFET FQA11N90C là một transistor MOSFET kênh N, được thiết kế để hoạt động ở các mạch công suất cao với khả năng chịu điện áp ngược lên đến 900V và dòng điện lên đến 11A. Loại MOSFET này thường được sử dụng trong các ứng dụng như nguồn điện chuyển mạch (SMPS), bộ khuếch đại công suất, và các mạch điện tử công nghiệp đòi hỏi hiệu suất cao và khả năng hoạt động ổn định ở các điện áp cao.

Thông số kỹ thuật MOSFET FQA11N90C

• Loại MOSFET: N-channel
• Điện áp cực drain-source (V_DS): 900V (Điện áp tối đa mà MOSFET có thể chịu ở chế độ hoạt động)
• Dòng cực drain (I_D): 11A (Dòng điện tối đa mà MOSFET có thể chịu qua cực Drain)
• Công suất cực drain (P_D): Khoảng 125W (Công suất tối đa mà MOSFET có thể tỏa ra mà không bị quá nhiệt)
• Điện áp cực gate-source (V_GS): ±20V (Điện áp tối đa giữa Gate và Source)
• Đặc tính điện (R_DS(on)): 0.8Ω (Điện trở kênh khi MOSFET bật, ảnh hưởng đến tổn thất điện năng)
• Tốc độ chuyển mạch: MOSFET này có tốc độ chuyển mạch khá nhanh, thích hợp cho các ứng dụng tần số cao.
• Dạng vỏ: TO-3P (Loại vỏ kim loại giúp tản nhiệt hiệu quả, thích hợp cho các ứng dụng công suất cao)

Sơ đồ chân FQA11N90C

Đặc điểm và Lợi ích MOSFET FQA11N90C

• Điện áp cao: FQA11N90C có thể chịu được điện áp lên đến 900V, giúp nó hoạt động ổn định trong các ứng dụng công suất cao, nơi điện áp có thể thay đổi lớn và yêu cầu một linh kiện có khả năng chịu đựng tốt.
• Dòng điện lớn: Với dòng tối đa lên đến 11A, MOSFET này có thể được sử dụng trong các mạch cần khả năng cung cấp dòng điện lớn, chẳng hạn như trong nguồn điện công suất cao, mạch chuyển mạch hoặc bộ khuếch đại.
• Tản nhiệt tốt: Vỏ TO-3P giúp MOSFET này có khả năng tản nhiệt hiệu quả, tránh hiện tượng quá nhiệt trong quá trình hoạt động, đồng thời giúp linh kiện hoạt động ổn định và lâu dài.
• Tổn thất điện năng thấp: Với điện trở kênh thấp (R_DS(on) = 0.8Ω), MOSFET này giảm thiểu tổn thất điện năng khi hoạt động, từ đó cải thiện hiệu suất tổng thể của mạch điện.
• Khả năng chuyển mạch nhanh: FQA11N90C có khả năng chuyển mạch nhanh, giúp giảm độ trễ và tăng hiệu quả trong các mạch chuyển mạch như nguồn điện chuyển mạch (SMPS) và các ứng dụng tần số cao.

Ứng dụng MOSFET FQA11N90C

• Nguồn điện chuyển mạch (SMPS): MOSFET FQA11N90C rất phù hợp cho các mạch nguồn điện chuyển mạch, vì nó có thể chịu được điện áp cao và dòng điện lớn, đồng thời chuyển mạch nhanh và hiệu quả.
• Bộ khuếch đại công suất: MOSFET này có thể được sử dụng trong các bộ khuếch đại công suất cao, đặc biệt là trong các hệ thống âm thanh hoặc các ứng dụng yêu cầu khuếch đại tín hiệu công suất lớn.
• Các mạch điện công nghiệp: FQA11N90C được sử dụng trong các mạch điện công nghiệp, nơi yêu cầu sự ổn định và hiệu suất cao khi làm việc với điện áp và dòng điện lớn.
• Ứng dụng tần số cao: MOSFET này thích hợp cho các ứng dụng cần tốc độ chuyển mạch nhanh, như trong các mạch RF hoặc mạch chuyển mạch trong các thiết bị điện tử công nghiệp.

Kích thước FQA11N90C

Xem thêm những mã Mosfet khác tại đây

Datasheet của FQA11N90C