FP25R12W1T4 Module IGBT 25A 1200V

Giới thiệu về FP25R12W1T4

FP25R12W1T4 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tích hợp, được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng công suất cao như bộ biến tần, UPS, bộ nguồn công nghiệp và các hệ thống điều khiển động cơ. Module này cung cấp hiệu suất cao nhờ khả năng chuyển mạch nhanh, tổn thất thấp, và tích hợp các tính năng bảo vệ an toàn.

Đặc điểm nổi bật

1. Dòng điện cao và điện áp chịu đựng lớn:
   • Khả năng chịu dòng điện cao, lên đến 25A và điện áp định mức 1200V, phù hợp với các ứng dụng công suất lớn.
2. Thiết kế tích hợp:
   • Gồm các IGBT và diode tự do (freewheeling diodes) trong cùng một module để tối ưu hóa không gian và hiệu năng.
3. Tổn thất thấp:
   • Thiết kế IGBT thế hệ mới giúp giảm tổn thất dẫn và tổn thất chuyển mạch.
4. Tản nhiệt hiệu quả:
   • Đế module làm bằng vật liệu DBC (Direct Bonded Copper), giúp tản nhiệt nhanh và tăng độ bền.
5. Bảo vệ tích hợp:
   • Khả năng chịu quá dòng, quá áp và nhiệt độ cao, đảm bảo hoạt động an toàn và ổn định.

Thông số kỹ thuật chính

• Điện áp cực đại (Vces): 1200V
• Dòng điện định mức (Ic): 25A
• Điện áp cổng-ngõ (Vge): ±20V (tối đa)
• Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +150°C
• Tổn thất chuyển mạch:
  • Tổn thất dẫn: Thấp nhờ công nghệ IGBT tối ưu.
  • Tổn thất chuyển mạch: Được giảm thiểu nhờ tốc độ chuyển mạch nhanh.
• Kháng nhiệt: Khả năng tản nhiệt tốt nhờ thiết kế đế DBC.
• Đóng gói: Thiết kế module nhỏ gọn dễ dàng tích hợp vào PCB.

Ứng dụng

1. Biến tần (Inverter):
   • Dùng trong các hệ thống năng lượng tái tạo như điện mặt trời hoặc điện gió.
2. Hệ thống điều khiển động cơ:
   • Ứng dụng trong các máy công nghiệp hoặc hệ thống điều khiển quạt, máy bơm, thang máy.
3. Bộ nguồn liên tục (UPS):
   • Đảm bảo nguồn điện ổn định cho các thiết bị quan trọng.
4. Hệ thống chuyển đổi năng lượng:
   • Dùng trong các bộ nguồn công suất cao hoặc thiết bị chuyển đổi DC-AC.

Xem thêm những mã IGBT khác tại đây

Kích thước FP25R12W1T4