FP25R12KE3 IGBT Infineon 25A 1200V

Giới thiệu FP25R12KE3

FP25R12KE3 là mô-đun IGBT do Infineon sản xuất, với khả năng xử lý dòng điện tối đa 25A và điện áp chịu đựng lên đến 1200V. Đây là một thành phần bán dẫn được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch nhanh, độ tin cậy cao, và hiệu suất năng lượng tối ưu.Thích hợp cho các ứng dụng như biến tần công nghiệp, điều khiển động cơ, và hệ thống năng lượng tái tạo. Với khả năng chuyển mạch nhanh, tiết kiệm năng lượng, và độ tin cậy cao, nó là một lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng công suất trung bình và cao.

Đặc điểm FP25R12KE3

• Công suất dòng 25A: Được thiết kế cho các ứng dụng trung bình, thích hợp cho các hệ thống yêu cầu chuyển mạch chính xác.
• Điện áp chịu đựng 1200V: Phù hợp với các ứng dụng có điện áp cao, đảm bảo độ an toàn và hiệu suất hoạt động trong điều kiện áp cao.
• Công nghệ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Giúp giảm tổn thất năng lượng và tối ưu hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng.
• Diode phục hồi nhanh: Tích hợp diode phục hồi nhanh (Fast Recovery Diode) giúp giảm thiểu tổn thất chuyển mạch và nâng cao hiệu suất tổng thể.
• Tản nhiệt hiệu quả: Thiết kế tối ưu giúp kiểm soát nhiệt độ hoạt động và kéo dài tuổi thọ của mô-đun.

Ứng dụng FP25R12KE3

• Biến tần công suất: Sử dụng trong các hệ thống biến tần điện áp cao và trung bình, như biến tần cho động cơ công nghiệp.
• Điều khiển động cơ: Phù hợp cho các ứng dụng điều khiển động cơ, như bơm, quạt công suất lớn và hệ thống băng tải.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Được ứng dụng trong hệ thống năng lượng mặt trời và gió, giúp tối ưu hóa chuyển đổi và điều hòa dòng điện.
• Hệ thống nguồn điện UPS: Sử dụng trong các hệ thống cấp điện liên tục, nơi yêu cầu độ tin cậy và chuyển mạch nhanh.

Thông số kĩ thuật FP25R12KE3

• Dòng điện định mức (I_C): 25A
• Điện áp chịu đựng (V_CE): 1200V
• Điện áp bão hòa (V_CE(sat)): Khoảng 2.1V
• Điện áp cổng điều khiển (V_GE): ±20V
• Thời gian chuyển mạch:
  • Thời gian bật (t_on): 1.8 – 3.0 µs
  • Thời gian tắt (t_off): 2.5 – 4.5 µs
• Tần số chuyển mạch: Thích hợp cho các ứng dụng có tần số cao, với tần số hoạt động lên đến hàng chục kHz.
• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C
• Gói: Module công suất, thiết kế tích hợp để dễ dàng lắp đặt và tản nhiệt hiệu quả.

Sơ đồ cấu tạo FP25R12KE3

Kích thước FP25R12KE3

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet FP25R12KE3