Giới thiệu về FP10R12W1T4_B3
FP10R12W1T4_B3 là một mô-đun Transistor Lưỡng cực Cổng Cách ly (IGBT) được thiết kế cho các ứng dụng công suất thấp, với khả năng xử lý dòng điện lên đến 10A và điện áp định mức 1200V.
Đặc điểm FP10R12W1T4_B3
- Hiệu suất chuyển mạch cao: Mô-đun này được thiết kế để cung cấp hiệu suất chuyển mạch tốt, giảm thiểu tổn thất năng lượng và nâng cao hiệu quả của hệ thống.
- Khả năng tản nhiệt hiệu quả: Được tích hợp khả năng quản lý nhiệt tốt, giúp mô-đun hoạt động ổn định trong các điều kiện nhiệt độ cao.
- Độ tin cậy và bền bỉ: Được chế tạo để hoạt động bền vững trong các môi trường công nghiệp, nơi độ tin cậy là yếu tố quan trọng.
Ứng dụng FP10R12W1T4_B3
- Biến tần công suất thấp: Thích hợp cho các hệ thống biến tần xử lý công suất nhỏ, chuyển đổi từ điện DC sang AC.
- Điều khiển động cơ nhỏ: Phù hợp cho các ứng dụng điều khiển động cơ trong môi trường công nghiệp yêu cầu công suất thấp.
- Nguồn cung cấp điện công suất thấp: Sử dụng trong các hệ thống cung cấp điện, nơi yêu cầu hiệu suất ổn định và độ tin cậy cao.
Thông số kĩ thuật FP10R12W1T4_B3
- Dòng điện định mức: 10 Ampe (A)
- Điện áp định mức: 1200 Volt (V)
- Gói: Thiết kế mô-đun nhỏ gọn, phù hợp cho các ứng dụng cần tiết kiệm không gian và tối ưu hóa hiệu suất.
Sơ đồ tương đương FP10R12W1T4_B3
Kích thước FP10R12W1T4_B3
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.