FP10R12W1T4 Module IGBT 10A 1200V (tháo máy)

Giới thiệu FP10R12W1T4

FP10R12W1T4 là một mô-đun IGBT của Infineon với dòng điện định mức 10A và điện áp chịu đựng 1200V. Mô-đun này thuộc dòng IGBT EconoPACK™, được thiết kế để cung cấp hiệu suất cao trong các ứng dụng công suất thấp và trung bình, với khả năng chuyển mạch nhanh và độ bền cao.

Đặc điểm FP10R12W1T4

• Điện áp chịu đựng cao (1200V): Giúp mô-đun hoạt động ổn định trong các môi trường yêu cầu điện áp cao.
• Dòng điện 10A: Được tối ưu hóa cho các ứng dụng có công suất nhỏ và trung bình.
• IGBT thế hệ thứ 4: Cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng, giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.
• Tích hợp diode phục hồi nhanh: Giảm tổn thất và tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Thiết kế EconoPACK™ nhỏ gọn: Giúp dễ dàng lắp đặt và tích hợp trong nhiều hệ thống công nghiệp khác nhau.

Ứng dụng FP10R12W1T4

• Biến tần công suất thấp: Phù hợp cho các ứng dụng biến tần trong công nghiệp, đặc biệt là các hệ thống yêu cầu dòng điện thấp.
• Điều khiển động cơ: Được sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ nhỏ và vừa, như máy bơm và quạt.
• Thiết bị năng lượng tái tạo: Được ứng dụng trong các hệ thống năng lượng mặt trời và gió quy mô nhỏ.
• Nguồn điện UPS: Phù hợp cho các ứng dụng trong hệ thống cung cấp điện dự phòng và liên tục.

Thông số kĩ thuật FP10R12W1T4

• Dòng điện cực thu (I_C): 10A
• Điện áp cực thu-emitter (V_CE): 1200V
• Điện áp bảo hòa cực thu-emitter (V_CE(sat)): ~2.0V
• Điện áp cực cổng điều khiển (V_GE): ±20V
• Công suất tổn hao khi bật (P_on): Thấp, giúp tăng hiệu suất hệ thống.
• Thời gian bật (t_on): Nhanh, tối ưu cho các ứng dụng yêu cầu tần số chuyển mạch cao.
• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C
• Thiết kế dạng module EconoPACK™: Giúp tản nhiệt tốt và dễ dàng tích hợp vào các hệ thống khác nhau.

Sơ đồ cấu tạo FP10R12W1T4

Kích thước FP10R12W1T4

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet FP10R12W1T4