FGH40N120AN FGH40N120 40N120 IGBT 40A 1200V TO-247

Giới thiệu về FGH40N120AN

FGH40N120AN là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao do ON Semiconductor sản xuất. Đây là một thiết bị bán dẫn công suất được thiết kế để chuyển mạch ở tần số cao và xử lý dòng tải lớn, phù hợp cho các ứng dụng như biến tần, bộ nguồn công nghiệp, và hệ thống điều khiển động cơ.

Đặc điểm FGH40N120AN

• Công nghệ Trench + Field Stop:
  • Kết hợp cấu trúc trench với field stop, giúp giảm tổn hao chuyển mạch và cải thiện hiệu suất tổng thể.
• Dòng tải lớn:
  • Hỗ trợ dòng tải liên tục lên đến 40A, thích hợp cho các ứng dụng công suất cao.
• Khả năng hoạt động ở điện áp cao:
  • Với điện áp cực đại lên tới 1200V, FGH40N120AN phù hợp cho các hệ thống điện áp trung bình và cao.
• Chuyển mạch nhanh:
  • Thời gian bật và tắt nhanh, hỗ trợ các ứng dụng tần số chuyển mạch cao.
• Hiệu suất nhiệt cao:
  • Khả năng hoạt động trong dải nhiệt rộng từ -55°C đến +175°C, giúp đảm bảo độ bền trong các môi trường khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật FGH40N120AN

Ứng dụng FGH40N120AN

• Biến tần:
  • Sử dụng trong biến tần cho hệ thống điều khiển động cơ, năng lượng mặt trời, và UPS.
• Bộ chuyển đổi DC-AC và AC-DC:
  • Tích hợp trong các bộ nguồn công nghiệp hoặc các hệ thống chuyển đổi công suất.
• Hệ thống điều khiển động cơ:
  • Sử dụng trong các bộ điều khiển tốc độ động cơ (VFD).
• Thiết bị công suất cao:
  • Các bộ khuếch đại công suất RF hoặc hệ thống chiếu sáng công nghiệp.
• Ứng dụng năng lượng tái tạo:
  • Hệ thống năng lượng mặt trời hoặc năng lượng gió yêu cầu thiết bị công suất cao và điện áp lớn.

Sơ đồ chân FGH40N120AN

Kích thước FGH40N120AN

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet FGH40N120AN