FGA25N120 25N120 IGBT 25A 1200V TO-3P Tháo Máy

Giới thiệu FGA25N120

FGA25N120 là một module IGBT. Đây là một linh kiện công suất cao được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu của nhiều ứng dụng công suất. Dưới đây là mô tả chi tiết về FGA25N120:

Thông Số Kỹ Thuật Chính

1. Điện Áp Cực Đại (Collector-Emitter Voltage – Vce):
   • 1200V: Đây là điện áp cực đại mà module IGBT có thể chịu đựng giữa cực thu (Collector) và cực phát (Emitter). Điện áp này cho phép module hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng công suất cao với điện áp lớn.
2. Dòng Cực Đại (Collector Current – Ic):
   • 25A: Đây là dòng điện tối đa mà module có thể xử lý liên tục trong điều kiện hoạt động tiêu chuẩn. Điều này cho phép module xử lý các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.
3. Điện Trở Tiếp Xúc (Collector-Emitter Saturation Voltage – Vce(sat)):
   • Khoảng 2.0V tại dòng định mức: Điện áp rơi này cho biết tổn thất điện năng khi IGBT đang dẫn điện. Giá trị thấp giúp giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất hệ thống.
4. Điện Trở Cổng (Gate-Emitter Voltage – Vge):
   • ±20V: Đây là điện áp tối đa có thể áp dụng giữa cổng (Gate) và cực phát (Emitter) để điều khiển IGBT.
5. Nhiệt Độ Hoạt Động Tối Đa (Max Junction Temperature – Tj):
   • 150°C: Nhiệt độ tối đa mà module có thể hoạt động mà không bị hư hỏng. Nhiệt độ này xác định giới hạn hoạt động và ảnh hưởng đến độ tin cậy của module.

Các Tính Năng Chính

1. Tính Năng Chuyển Mạch:
   • Thời gian chuyển mạch nhanh: FGA25N120 được thiết kế để cung cấp hiệu suất chuyển mạch tốt, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch nhanh như biến tần và điều khiển động cơ.
2. Khả Năng Chịu Nhiệt:
   • Hoạt động ở nhiệt độ cao: Có thể hoạt động ở nhiệt độ lên đến 150°C, cho phép module hoạt động trong các điều kiện môi trường khắc nghiệt.
3. Điện Trở Tiếp Xúc Thấp:
   • Giảm tổn thất điện năng: Điện trở tiếp xúc thấp giúp giảm tổn thất năng lượng trong trạng thái dẫn và cải thiện hiệu suất của hệ thống.
4. Điều Khiển Dễ Dàng:
   • Điện áp điều khiển thấp: FGA25N120 có thể điều khiển dễ dàng với điện áp cổng thấp, giúp đơn giản hóa mạch điều khiển.

Nguyên Lý Hoạt Động của IGBT

1. Cấu Trúc:
   • IGBT kết hợp đặc điểm của transistor bipolar (BJT) và MOSFET. Cấu trúc của IGBT bao gồm ba lớp bán dẫn: lớp n (N-Buffer), lớp p (P-Base) và lớp n (N-Collector).
2. Chế Độ Điều Khiển:
   • Cổng (Gate): Điều khiển trạng thái dẫn hoặc ngắt của IGBT bằng cách áp dụng điện áp vào cổng.
   • Cực Phát (Emitter) và Cực Thu (Collector): Cung cấp đường dẫn cho dòng điện từ cực thu đến cực phát.
3. Chế Độ Dẫn:
   • Khi điện áp điều khiển (Vge) được áp dụng vào cổng, một lớp điện tích hình thành giữa lớp n và lớp p, cho phép dòng điện chảy từ cực thu đến cực phát.
4. Chế Độ Ngắt:
   • Khi điện áp điều khiển không còn, lớp điện tích biến mất và dòng điện không thể chảy qua từ cực thu đến cực phát.
5. Chế Độ Saturation:
   • Trong trạng thái dẫn, IGBT có một điện áp rơi (Vce(sat)) giữa cực thu và cực phát, không hoàn toàn bằng không nhưng thấp, giúp giảm tổn thất điện năng.
6. Tính Năng Chuyển Mạch:
   • IGBT có khả năng chuyển mạch nhanh, giúp cải thiện hiệu suất trong các ứng dụng cần tốc độ chuyển mạch cao.

Ứng Dụng

1. Biến Tần (Inverters):
   • FGA25N120 được sử dụng trong các hệ thống biến tần để chuyển đổi điện áp DC thành AC, ứng dụng trong năng lượng mặt trời, truyền tải điện năng và điều khiển động cơ.
2. Nguồn Cung Cấp Điện (Power Supplies):
   • Thích hợp cho các nguồn cung cấp điện công suất cao yêu cầu hiệu suất cao và độ tin cậy.
3. Điều Khiển Động Cơ (Motor Drives):
   • Dùng trong các hệ thống điều khiển động cơ trong các ứng dụng công nghiệp, máy móc và thiết bị tự động hóa.
4. Thiết Bị Hàn (Welding Equipment):
   • Sử dụng trong các thiết bị hàn công suất cao, nơi cần điều khiển dòng điện lớn và hiệu suất chuyển mạch tốt.

Lưu Ý Khi Sử Dụng

1. Tản Nhiệt:
   • Lắp đặt hệ thống tản nhiệt: Đảm bảo module được lắp đặt với hệ thống tản nhiệt hiệu quả để duy trì nhiệt độ hoạt động dưới mức tối đa.
2. Kết Nối Điện:
   • Sử dụng chân kết nối đúng cách: Đảm bảo các kết nối giữa module và mạch điện là chắc chắn và đúng cách để tránh hiện tượng quá dòng và đảm bảo hiệu suất hoạt động.
3. Quản Lý Nhiệt Độ:
   • Theo dõi nhiệt độ hoạt động: Kiểm tra thường xuyên và điều chỉnh nhiệt độ để tránh tình trạng quá nhiệt. Sử dụng các cảm biến nhiệt độ nếu cần thiết.
4. Bảo Vệ Điện Áp và Dòng Điện:
   • Sử dụng các mạch bảo vệ: Đảm bảo có các mạch bảo vệ để bảo vệ IGBT khỏi các tình huống quá điện áp và quá dòng có thể gây hỏng hóc.

Cấu tạo FGA25N120

Kích thước FGA25N120

Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet của FGA25N120