FF100R12KS4 là một mô-đun Transistor Lưỡng cực Cổng Cách ly (IGBT) được sản xuất bởi Infineon, thiết kế để xử lý dòng điện lên đến 100A và điện áp định mức 1200V. Mô-đun này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng công suất cao, yêu cầu độ tin cậy và hiệu suất cao.
Đặc điểm FF100R12KS4
- Hiệu suất chuyển mạch cao: Được thiết kế để giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch, giúp nâng cao hiệu quả tổng thể của hệ thống.
- Khả năng chịu nhiệt cao: Đảm bảo hoạt động ổn định trong các môi trường nhiệt độ cao, giúp kéo dài tuổi thọ của mô-đun.
- Tích hợp Diode Free-Wheeling: Hỗ trợ giảm tổn thất trong quá trình chuyển mạch và cải thiện hiệu quả hoạt động của mô-đun.
Ứng dụng FF100R12KS4
- Biến tần công nghiệp: Sử dụng trong các hệ thống biến tần yêu cầu độ tin cậy cao và hiệu suất tốt trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.
- Nguồn cung cấp điện công suất lớn: Được ứng dụng trong các bộ nguồn cung cấp điện công suất lớn, đảm bảo sự ổn định và hiệu suất cao.
- Điều khiển động cơ công suất lớn: Ứng dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công suất lớn, đảm bảo sự chính xác và ổn định trong vận hành.
Thông số kĩ thuật FF100R12KS4
- Dòng điện định mức: 100 Ampe (A)
- Điện áp định mức: 1200 Volt (V)
- Thiết kế dạng mô-đun: Được tích hợp trong một gói mô-đun mạnh mẽ, giúp tối ưu hóa hiệu suất và độ tin cậy trong các ứng dụng công suất lớn.
Sơ đồ tương đương FF100R12KS4
Kích thước FF100R12KS4
Xem thêm :Nhiều sản phẩm TGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.