FDV303N FDV303 Mosfet N-kênh SOT-23

Giới thiệu về FDV303N

FDV303N là một MOSFET N-kênh có kích thước nhỏ gọn, được thiết kế để sử dụng trong các mạch chuyển mạch tốc độ cao, điều khiển tín hiệu và ứng dụng điện áp thấp. Được đóng gói theo chuẩn SOT-23, FDV303N phù hợp với các mạch điện tử hiện đại, đặc biệt là các thiết bị tiết kiệm không gian.

Đặc điểm nổi bật FDV303N

• Kiểu kênh: N-kênh.
• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): Hoạt động ở mức logic thấp.
• Điện áp Drain-Source (Vds): Tối đa 25V.
• Dòng tải liên tục (Id): Lên đến 0.28A.
• Đóng gói: SOT-23, nhỏ gọn, lý tưởng cho thiết kế mạch bề mặt (SMT).
• Rds(on) thấp: Giảm tổn thất công suất khi hoạt động.

Thông số kỹ thuật chính FDV303N

• Điện áp Drain-Source (Vds): 25V.
• Dòng tải liên tục (Id): 0.28A tại Ta = 25°C.
• Dòng tải xung (Id,pulse): Lên đến 1.2A.
• Điện trở Drain-Source (Rds(on)):
  • 2.4Ω tại Vgs = 2.7V.
  • 1.5Ω tại Vgs = 4.5V.
• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 0.5V ~ 1.5V.
• Công suất tiêu tán (Ptot): 350mW.
• Điện dung ngõ vào (Ciss): Khoảng 25pF.
• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C.

Ứng dụng FDV303N

1. Chuyển mạch tốc độ cao: Sử dụng trong các mạch điện tử yêu cầu tốc độ đáp ứng nhanh.
2. Mạch điều khiển tín hiệu: Tương thích tốt với các mạch vi điều khiển hoặc mạch logic.
3. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ: Ứng dụng trong các thiết bị công suất thấp.
4. Thiết bị di động và tiết kiệm năng lượng: Tích hợp trong các sản phẩm nhỏ gọn như điện thoại, đồng hồ thông minh.

Đặc điểm đóng gói – SOT-23

• Kích thước nhỏ gọn: Giúp tiết kiệm không gian trên PCB.
• Kết nối 3 chân:
  • G (Gate): Chân điều khiển.
  • D (Drain): Chân thoát dòng.
  • S (Source): Chân nguồn.

Sơ đồ chân FDV303N 

Kích thước FDV303N

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Mosfet tại đây

Datasheet FDV303N