Giới thiệu về Diode MBR30100PT
MBR30100PT là diode Schottky có khả năng chịu dòng điện tải lớn lên đến 30A và điện áp ngược cực đại 100V. Thiết bị này sử dụng gói vỏ TO-247, một loại vỏ mạnh mẽ và thông dụng cho các linh kiện bán dẫn công suất cao. Diode này thường được dùng trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất chỉnh lưu cao và tổn thất điện năng thấp.
Đặc điểm của Diode MBR30100PT
- Điện áp rơi thuận thấp: Điện áp rơi thuận của Schottky diode thường thấp hơn so với diode thông thường, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình chỉnh lưu. Với MBR30100PT, điện áp rơi thuận vào khoảng 0.70V đến 0.85V khi hoạt động ở dòng điện cao.
- Khả năng chịu dòng lớn: Với khả năng chịu dòng điện tối đa lên đến 30A, diode này lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu dòng tải cao.
- Điện áp ngược cực đại (V_RRM): 100V, phù hợp cho các hệ thống yêu cầu điện áp ngược vừa phải.
- Thiết kế vỏ TO-247: Gói vỏ TO-247 có kích thước lớn, dễ tản nhiệt, đảm bảo rằng diode có thể hoạt động hiệu quả trong các điều kiện tải cao mà không bị quá nhiệt.
Ứng dụng của Diode MBR30100PT
- Nguồn cấp xung (SMPS): Thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu đầu ra để giảm thiểu tổn thất năng lượng và tăng hiệu suất của các bộ nguồn chuyển đổi.
- Chỉnh lưu cầu trong mạch công suất cao: Với dòng điện tải lớn, diode này được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu cầu trong hệ thống công suất cao.
- Mạch DC-DC: Được sử dụng trong các bộ chuyển đổi DC-DC yêu cầu diode có dòng điện lớn và hiệu suất cao.
- Hệ thống năng lượng tái tạo: Diode Schottky thường được sử dụng trong các ứng dụng năng lượng mặt trời, năng lượng gió để tăng hiệu suất của hệ thống.
Thông số kỹ thuật của Diode MBR30100PT
- Điện áp ngược cực đại (V_RRM): 100V
- Dòng điện tải liên tục (I_F): 30A
- Điện áp rơi thuận (V_F): 0.70V – 0.85V (ở 30A)
- Dòng điện rò ngược (I_R): 1mA (ở 100V)
- Dòng điện đỉnh ngắn hạn (I_FSM): 150A
- Nhiệt độ hoạt động: -65°C đến +150°C
- Vỏ bọc: TO-247
Kích thước MBR30100PT
Xem thêm: Nhiều sản phẩm Diode Schottky tại đây
Chưa có đánh giá nào.