Diode Schottky 1N5822 DO-210AD 3A 40V

Giới thiệu về Diode Schottky 1N5822 

1N5822 là một loại diode Schottky với khả năng chịu dòng điện tối đa 3A và điện áp ngược cực đại 40V. Với thiết kế vỏ DO-210AD, diode này nổi bật với hiệu suất cao và điện áp rơi thuận thấp, làm cho nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho nhiều ứng dụng trong lĩnh vực điện tử và công suất.

Đặc điểm của Diode 1N5822

1. Điện áp rơi thuận thấp: 1N5822 có điện áp rơi thuận khoảng 0.45V đến 0.5V ở dòng tải tối đa, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình hoạt động.
2. Dòng điện tải vừa: Với khả năng chịu dòng điện lên tới 3A, diode này phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu dòng tải vừa và có khả năng xử lý tốt.
3. Điện áp ngược cực đại (V_RRM): Diode có thể chịu được điện áp ngược tối đa là 40V, đảm bảo tính ổn định trong các ứng dụng điện áp trung bình.
4. Thiết kế vỏ DO-210AD: Vỏ DO-210AD cung cấp độ bền cơ học tốt và khả năng tản nhiệt hiệu quả, giúp diode hoạt động ổn định và đáng tin cậy.

Ứng dụng của Diode 1N5822

• Bộ nguồn chuyển đổi (SMPS): Thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu trong bộ nguồn chuyển đổi, giúp cải thiện hiệu suất và giảm tổn thất điện năng.
• Mạch chuyển đổi DC-DC: 1N5822 rất thích hợp cho các mạch DC-DC, nơi yêu cầu hiệu suất chuyển đổi cao và khả năng chịu tải tốt.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Sử dụng trong các ứng dụng năng lượng mặt trời và lưu trữ năng lượng, nơi diode cần phải hoạt động hiệu quả và tin cậy.
• Mạch bảo vệ: Diode này cũng có thể được sử dụng trong các mạch bảo vệ để ngăn ngừa hiện tượng tăng áp và bảo vệ thiết bị điện tử khỏi hư hỏng.

Thông số kỹ thuật của Diode 1N5822

• Điện áp ngược cực đại (V_RRM): 40V
• Dòng điện tải liên tục (I_F): 3A
• Điện áp rơi thuận (V_F): 0.45V đến 0.5V (ở 3A)
• Dòng điện rò (I_R): 1mA (ở 40V)
• Công suất đỉnh (I_FSM): 30A
• Nhiệt độ hoạt động: -65°C đến +150°C
• Vỏ bọc: DO-210AD

Kích thước 1N5822

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Diode Schottky tại đây 

Datasheet 1N5822