Giới thiệu về CM100DU-24H
Module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CM100DU-24H là một sản phẩm của Mitsubishi Electric, được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng cao như bộ biến tần, bộ điều khiển động cơ, và nguồn cung cấp công nghiệp. Đây là module tháo máy, thường được tận dụng từ các thiết bị đã qua sử dụng.
Thông số kỹ thuật chính CM100DU-24H
- Loại module: IGBT Dual (2 IGBT trong một module).
- Dòng điện định mức (IC): 100 A.
- Điện áp chịu đựng (VCES): 1200 V.
- Công suất tiêu tán (Ptot): 310 W.
- Điện áp điều khiển cổng (VGE): ±20 V.
- Điện trở nhiệt (Rth):
- IGBT: 0.4 °C/W.
- Diode: 0.8 °C/W.
- Tích hợp diode chống hồi tiếp (FWD): Có.
- Đóng gói: Module dạng cắm.
Đặc điểm nổi bật CM100DU-24H
- Thiết kế module kép: Tích hợp hai IGBT và diode trong một gói nhỏ gọn, giảm thiểu không gian trên mạch PCB.
- Khả năng chịu dòng cao: Lên đến 100 A, phù hợp với các ứng dụng công suất lớn.
- Điện áp chịu đựng cao: 1200 V, đảm bảo hoạt động ổn định trong các ứng dụng điện áp cao.
- Độ tin cậy cao: Được thiết kế để hoạt động bền bỉ trong các môi trường công nghiệp khắc nghiệt.
- Tản nhiệt tốt: Tích hợp lớp gốm cách nhiệt (DBC – Direct Bonded Copper) đảm bảo hiệu quả tản nhiệt.
Sơ đồ cấu tạo CM100DU-24H
Kích thước CM100DU-24H
Ứng dụng phổ biến CM100DU-24H
- Bộ điều khiển động cơ (Inverter): Sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ 3 pha công suất cao.
- Nguồn cấp xung (SMPS): Được sử dụng trong các hệ thống nguồn công suất lớn.
- Bộ chuyển đổi năng lượng (Converter): Cho các ứng dụng năng lượng tái tạo như điện mặt trời, điện gió.
- UPS (Uninterruptible Power Supply): Nguồn cấp liên tục trong các ứng dụng quan trọng.
- Thang máy: Được sử dụng trong các hệ thống điều khiển nâng hạ.
Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.