Giới thiệu về BSM100GB120DN2
BSM100GB120DN2 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được sản xuất bởi Infineon, thuộc dòng sản phẩm BSM. Đây là một thiết bị công suất cao, được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp như biến tần, điều khiển động cơ và các hệ thống năng lượng tái tạo. BSM100GB120DN2 nổi bật với thiết kế tích hợp và khả năng tản nhiệt tốt, module này cung cấp độ tin cậy và hiệu suất ổn định cho các hệ thống công suất lớn.
Đặc điểm nổi bật BSM100GB120DN2
- Công Suất Cao: Module có điện áp định mức 1200V và dòng điện định mức 100A, phù hợp cho các ứng dụng công suất lớn.
- Thiết Kế Tích Hợp: Tích hợp diode phục hồi nhanh, giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch và nâng cao hiệu suất tổng thể.
- Công Nghệ Tiên Tiến: Sử dụng công nghệ IGBT hiện đại, giúp cải thiện hiệu suất chuyển mạch và giảm tổn thất trong quá trình hoạt động.
- Khả Năng Tản Nhiệt Tốt: Thiết kế hiệu quả giúp module có khả năng tản nhiệt tốt, đảm bảo hoạt động ổn định ngay cả trong điều kiện khắc nghiệt.
Thông số kỹ thuật BSM100GB120DN2
- Điện Áp Ngắt (Collector-Emitter Voltage): 1200V
- Dòng Điện Định Mức (Continuous Collector Current): 100A
- Điện Áp Cổng (Gate-Emitter Voltage): ±20V
- Nhiệt Độ Hoạt Động Tối Đa (Operating Junction Temperature): Lên đến 150°C
- Tổn Thất Chuyển Mạch: Thấp, giúp tối ưu hóa hiệu suất năng lượng.
Ứng dụng BSM100GB120DN2
- Biến Tần Công Nghiệp: Sử dụng trong các hệ thống biến tần cho động cơ, giúp điều chỉnh tốc độ và hiệu suất làm việc.
- Điều Khiển Động Cơ: Thích hợp cho các ứng dụng điều khiển động cơ công suất lớn như máy bơm, quạt công nghiệp và thiết bị tự động hóa.
- Năng Lượng Tái Tạo: Được sử dụng trong các hệ thống năng lượng tái tạo, đặc biệt là trong biến tần năng lượng mặt trời.
- Hệ Thống UPS (Uninterruptible Power Supply): Tích hợp trong các hệ thống cung cấp điện không ngắt, đảm bảo nguồn điện liên tục cho các thiết bị quan trọng.
Sơ đồ tương đương BSM100GB120DN2
Kích thước BSM100GB120DN2
Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác
Chưa có đánh giá nào.