K10A60W TK10A60W Mosfet kênh N 10A 600V TO-220SIS

Giới thiệu về TK10A60W

TK10A60W là transistor MOSFET kênh N được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt trong các mạch chuyển đổi nguồn, mạch điều khiển động cơ và các hệ thống điện tử công suất lớn. Với điện áp chịu đựng cao và hiệu suất tối ưu, linh kiện này rất phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hiệu quả tản nhiệt tốt và độ bền cao. Gói TO-220 giúp dễ dàng lắp đặt và đảm bảo tản nhiệt hiệu quả.

Thông số kỹ thuật của TK10A60W

• Điện áp chịu được (Vds): 600V

• Dòng điện tối đa (Id): 9.7A

• Rds(on): 0.327 Ω tại Vgs = 10V

• Điện dung đầu vào (Ciss): 700pF

• Tổng điện tích cổng (Qg): 20nC

• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 2.7V đến 3.7V

• Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C

• Công suất tiêu tán tối đa: 30W

Ứng dụng của TK10A60W

• Dùng trong bộ chuyển đổi DC-DC

• Nguồn điện công nghiệp

• Mạch điều khiển động cơ

• Nguồn điện cho các thiết bị điện tử công suất lớn

Sơ đồ chân của TK10A60W

Kích thước của TK10A60W

Xem thêm các MOSFET khác tại đây

Datasheet của TK10A60W