Giới thiệu về K5A50D
K5A50D là lựa chọn tốt cho các ứng dụng yêu cầu MOSFET có khả năng chịu đựng điện áp cao và dòng điện lớn.
Đặc trưng kỹ thuật
- Điện áp chịu đựng (Vds): Tối đa 500V. Điều này cho phép MOSFET hoạt động trong các mạch có điện áp cao mà không bị hỏng.
- Dòng điện dẫn (Id): Tối đa 5A. Cho phép MOSFET dẫn dòng lớn, phù hợp cho các ứng dụng cần công suất cao.
- Điện trở kênh mở (Rds(on)): Thấp khi MOSFET đang dẫn, giúp giảm tổn thất công suất và tăng hiệu quả mạch.
- Thời gian chuyển đổi: Thường là yếu tố quan trọng trong các ứng dụng tần số cao, tuy nhiên thông số cụ thể cần xem trong datasheet.
- Tản Nhiệt: Đảm bảo rằng MOSFET có đủ khả năng tản nhiệt để tránh quá nhiệt. Có thể cần lắp heatsink hoặc sử dụng thiết kế tản nhiệt thích hợp.
- Điều Khiển Cổng: Phải chắc chắn rằng điện áp cổng đủ cao để đảm bảo MOSFET hoạt động hoàn toàn trong trạng thái dẫn.
Thông số kỹ thuật
Sơ đồ cấu tạo
Kích thước K5A50D
Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Chưa có đánh giá nào.