Giới thiệu chung SI4288DY-T1-GE3
SI4288DY-T1-GE3 là một transistor MOSFET kênh N, công nghệ trench MOSFET, được thiết kế để mang lại hiệu suất chuyển mạch cao và tổn hao điện năng thấp. Nó được đóng gói trong dạng SO-8 (Small Outline Package), phù hợp với các ứng dụng yêu cầu tiết kiệm không gian và hiệu suất nhiệt tốt.
Đặc điểm nổi bật SI4288DY-T1-GE3
-
MOSFET kênh N.
-
Điện trở dẫn thấp R<sub>DS(on)</sub>, giúp giảm tổn hao công suất.
-
Dòng điện và điện áp chịu đựng cao.
-
Thời gian chuyển mạch nhanh.
-
Đóng gói dạng SO-8 nhỏ gọn.
-
Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS (không chì, thân thiện môi trường).
Ứng dụng phổ biến của SI4288DY-T1-GE3
-
Nguồn chuyển mạch (switch mode power supply).
-
Mạch điều khiển động cơ.
-
Mạch điều khiển tải DC.
-
Ứng dụng điều khiển công suất trong các thiết bị điện tử tiêu dùng.
-
Hệ thống phân phối điện trong máy tính và viễn thông.
Thông số kỹ thuật chính SI4288DY-T1-GE3
Sơ đồ cấu tạo SI4288DY-T1-GE3
Kích thước SI4288DY-T1-GE3
Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Datasheet SI4288DY-T1-GE3
Chưa có đánh giá nào.