IRFP460LC MOSFET 500V 20A TO-247 tháo máy

GIỚI THIỆU CHUNG VỀ IRFP460LC:

IRFP460LC là một transistor MOSFET công suất kênh N thuộc dòng sản phẩm HEXFET® của International Rectifier (nay là Infineon hoặc Vishay). Nó được thiết kế đặc biệt để có điện tích cổng cực thấp, giúp giảm yêu cầu về trình điều khiển cổng, tăng tốc độ chuyển mạch và tiết kiệm năng lượng tổng thể cho hệ thống.

Đặc điểm chính:

• MOSFET kênh N: Loại kênh dẫn điện là N.
• Điện áp Drain-Source tối đa (VDSS​): Thường là 500V.
• Dòng điện Drain liên tục (ID​): Thường là 20A (tùy thuộc vào nhiệt độ hoạt động).
• Kiểu chân: TO-247, một kiểu chân phổ biến cho các linh kiện công suất trung bình đến cao, có khả năng tản nhiệt tốt.
• Điện tích cổng cực thấp (Qg​): Đây là đặc điểm nổi bật của dòng LC, giúp giảm tổn thất khi chuyển mạch và đơn giản hóa mạch điều khiển cổng.
• Điện trở dẫn thấp (RDS(on)​): Thường có giá trị khoảng 0.27 Ω ở VGS​=10V, giúp giảm tổn thất công suất khi MOSFET ở trạng thái bật.
• Tốc độ chuyển mạch nhanh: Nhờ điện tích cổng thấp, MOSFET này có thể chuyển mạch ở tần số cao một cách hiệu quả.
• Khả năng chịu đựng $dV/dt$ cao: Có khả năng chịu được tốc độ thay đổi điện áp lớn, tăng độ ổn định của mạch.
• Được đánh giá cho dòng Avalanche lặp đi lặp lại: Có thể chịu đựng các sự kiện đánh thủng Avalanche lặp đi lặp lại trong giới hạn cho phép.
• Chân cắm trung tâm cách ly: Gói TO-247 có lỗ cắm trung tâm cách ly, giúp việc lắp đặt và tản nhiệt dễ dàng hơn.

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET (Tổng Quan)

• Điều khiển dòng điện giữa Drain (D) và Source (S) bằng điện áp đặt vào Gate (G).
• Điện áp Gate tạo ra điện trường, hình thành hoặc triệt tiêu kênh dẫn điện trong chất bán dẫn.
• MOSFET kênh N:
  • Khi điện áp Gate-Source (VGS​) thấp hơn điện áp ngưỡng (Vth​), MOSFET ở trạng thái tắt, dòng điện ID​≈0.
  • Khi VGS​ cao hơn Vth​, kênh dẫn N được tạo ra, cho phép dòng điện chạy từ Drain sang Source.
  • Dòng điện ID​ tăng theo VGS​ và VDS​ (trong các vùng hoạt động khác nhau).

Sơ đồ chân:

CHỨC NĂNG CỦA IRFP460LC MOSFET KÊNH N 500V 20A (Ước tính)

• Chuyển mạch (Switching):
  • Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện lên đến khoảng 20A và điện áp 500V.
  • Đặc biệt hiệu quả trong các ứng dụng chuyển mạch tần số cao nhờ điện tích cổng thấp.
• Khuếch đại (Amplification):
  • Khuếch đại tín hiệu điện áp hoặc dòng điện trong các mạch khuếch đại.
• Điều khiển (Control):
  • Điều chỉnh dòng điện hoặc điện áp bằng cách thay đổi điện áp Gate.

Thông số kĩ thuật:

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA IRFP460LC MOSFET KÊNH N 500V 20A TO-247

• Bộ nguồn xung (SMPS) hiệu suất cao.
• Bộ lưu điện UPS (Uninterruptible Power Supplies).
• Mạch điều khiển động cơ.
• Bộ инвертор.
• Các ứng dụng công nghiệp về nguồn điện.
• Mạch điều khiển đèn hiệu suất cao.

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG IRFP460LC MOSFET KÊNH N 500V 20A TO-247

• Tham khảo Datasheet:
  • Luôn tìm và đọc kỹ datasheet của nhà sản xuất (Vishay/Infineon) để có thông số kỹ thuật chính xác và đầy đủ.
• Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
  • MOSFET rất nhạy cảm với tĩnh điện, cần sử dụng các biện pháp bảo vệ khi thao tác.
• Điều khiển Gate:
  • Sử dụng mạch điều khiển Gate phù hợp để đảm bảo tốc độ chuyển mạch tối ưu và tránh quá áp hoặc thiếu áp.
  • Tận dụng lợi thế của điện tích cổng thấp để thiết kế mạch điều khiển hiệu quả.
• Tản nhiệt:
  • Gắn MOSFET vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ để tránh quá nhiệt.
• Không vượt quá định mức:
  • Tuân thủ nghiêm ngặt các thông số điện áp và dòng điện tối đa được chỉ định trong datasheet.
• Bảo vệ mạch:
  • Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng, quá áp để bảo vệ MOSFET và các linh kiện khác trong mạch.
• Tối ưu hóa chuyển mạch:
  • Thiết kế mạch để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tần số cao.

Kích thước:

XEM THÊM CÁC MOSFET TẠI ĐÂY

DATASHEET: