7MBR15NE120-01 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) thuộc dòng sản phẩm PIM (Power Integrated Module) do Mitsubishi Electric sản xuất. Đây là một giải pháp công suất cao, được thiết kế để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng công nghiệp và năng lượng yêu cầu hiệu suất tốt và độ tin cậy cao.
Đặc điểm 7MBR15NE120-01
- Khả năng xử lý công suất cao: Với khả năng chịu đựng dòng điện 15A và điện áp 1200V, module này phù hợp cho các ứng dụng công suất trung bình đến cao.
- Tản nhiệt hiệu quả: Được thiết kế với tấm đế kim loại để tản nhiệt tốt, giúp duy trì hiệu suất ổn định và kéo dài tuổi thọ của module.
- Hiệu suất chuyển mạch tốt: Module này cung cấp khả năng chuyển mạch nhanh và tổn thất thấp, giúp nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống.
- Độ tin cậy cao: Mitsubishi nổi tiếng với chất lượng và độ tin cậy của sản phẩm, và 7MBR15NE120-01 cũng không ngoại lệ, cung cấp hiệu suất bền bỉ trong các ứng dụng công nghiệp.
Ứng dụng 7MBR15NE120-01
- Điều khiển động cơ: Phù hợp cho các hệ thống điều khiển động cơ công suất trung bình, đặc biệt trong các ứng dụng công nghiệp yêu cầu độ tin cậy cao.
- Bộ biến tần: Sử dụng trong các bộ biến tần để chuyển đổi hiệu quả từ DC sang AC trong các hệ thống năng lượng và công nghiệp.
- Hệ thống nguồn điện: Có thể được áp dụng trong các hệ thống cấp điện để đảm bảo nguồn điện ổn định và hiệu quả.
- Ứng dụng công nghiệp: Được sử dụng trong các thiết bị công nghiệp yêu cầu công suất và hiệu suất cao.
Thông số kĩ thuật 7MBR15NE120-01
- Dòng điện định mức: 15A
- Điện áp định mức: 1200V
- Loại: Module IGBT PIM (Power Integrated Module)
- Cấu hình: Module nửa cầu (half-bridge) tích hợp IGBT và diode chống dòng ngược
- Đóng gói: Thiết kế dạng module với tấm đế kim loại để tản nhiệt hiệu quả
Sơ đồ mạch tương đương 7MBR15NE120-01
Kích thước 7MBR15NE120-01
Xem thêm :Nhiều sản phẩm TGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.