Giới thiệu chung về 7MBP75RA060-09
7MBP75RA060-09 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Fuji Electric sản xuất, với khả năng chịu dòng điện tối đa 50A và điện áp tối đa 600V. Mô-đun này được thiết kế để đáp ứng các ứng dụng công suất cao trong ngành công nghiệp, đặc biệt là trong điều khiển động cơ và biến tần.
Tính năng nổi bật 7MBP75RA060-09
- Hiệu suất cao: Cung cấp khả năng chuyển mạch nhanh chóng và hiệu quả, giúp tiết kiệm năng lượng.
- Độ tin cậy: Thiết kế chắc chắn và vật liệu chất lượng đảm bảo hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt.
- Bảo vệ: Tích hợp các tính năng bảo vệ như bảo vệ ngắn mạch và quá tải.
Ứng dụng 7MBP75RA060-09
- Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống biến tần cho động cơ điện, cho phép điều chỉnh tốc độ và mô-men xoắn.
- Điều khiển động cơ: Thích hợp cho các ứng dụng điều khiển động cơ trong ngành công nghiệp.
- Hệ thống nguồn: Cung cấp nguồn điện cho các thiết bị tự động hóa và công nghiệp.
Thông số kỹ thuật của 7MBP75RA060-09
- Loại: IGBT Module
- Dòng điện định mức: 75A (ở nhiệt độ môi trường tiêu chuẩn)
- Điện áp cực kolektor (Vce): 600V
- Công suất tiêu tán tối đa: Khoảng 300W (tùy thuộc vào điều kiện tản nhiệt)
- Tần số chuyển mạch: Thích hợp cho các ứng dụng với tần số cao, thường trong khoảng vài kHz đến vài chục kHz.
- Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến 150°C
- Cấu hình chân: Thường có các chân kết nối cho nguồn, tải và điều khiển.
Sơ đồ cấu tạo 7MBP75RA060-09
Kích thước 7MBP75RA060-09
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.