6R400CE IPA60R400CE Mosfet 30A 600V TO-220

Giới thiệu về 6R400CE

6R400CE là một transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), loại linh kiện bán dẫn công suất cao được kết hợp giữa hai công nghệ là transistor lưỡng cực (BJT) và transistor hiệu ứng trường (MOSFET). IGBT thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất lớn nhờ khả năng chịu đựng dòng cao và hiệu suất chuyển mạch tốt. IGBT như 6R400CE rất quan trọng trong các hệ thống đòi hỏi sự chuyển đổi năng lượng một cách hiệu quả và tin cậy với công suất cao.

Đặc điểm 6R400CE

• IGBT kết hợp ưu điểm của MOSFET (điều khiển điện áp) và BJT (khả năng chịu tải lớn).
• Có dòng điện cao, điện áp hoạt động cao và mất mát công suất thấp.
• Chịu được dòng tải lớn, phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp.
• Khả năng chuyển mạch nhanh giúp giảm tổn thất năng lượng.

Thông số kỹ thuật 6R400CE

• Điện áp cực đại (Vce): Khoảng 400V hoặc cao hơn.
• Dòng điện định mức (Ic): 6A.
• Điện áp kích hoạt cổng (Vge): Điện áp yêu cầu ở cổng để kích hoạt thiết bị, thường trong khoảng 10V-15V.
• Thời gian chuyển mạch: Thời gian tắt/mở của IGBT có thể khá nhanh, thường tính bằng micro giây hoặc nano giây.
• Nhiệt độ hoạt động: Phạm vi nhiệt độ hoạt động an toàn, thường là từ -40°C đến +150°.

Ứng dụng 6R400CE

IGBT 6R400CE thường được sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, bao gồm:

• Biến tần: Trong hệ thống biến tần công suất cao cho động cơ điện.
• Hệ thống cung cấp năng lượng: Sử dụng trong các bộ chuyển đổi nguồn AC-DC và DC-AC.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Trong các hệ thống điện năng lượng mặt trời và gió.
• Thiết bị điện công nghiệp: Sử dụng trong các máy hàn, hệ thống UPS, và các bộ điều khiển động cơ.

Sơ đồ tương đương 6R400CE

Kích thước 6R400CE

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Datasheet 6R400CE