Giới thiệu về IPL60R199CP
IPL60R199CP là MOSFET kênh N thuộc dòng CoolMOS™ CP của Infineon Technologies, được thiết kế đặc biệt để cung cấp hiệu suất cao và hiệu quả năng lượng trong các ứng dụng công suất. Sản phẩm này được tối ưu hóa cho các bộ nguồn chuyển đổi (SMPS) và các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao với tổn thất thấp.
Đặc điểm nổi bật
- Hiệu suất cao:
- Sử dụng công nghệ CoolMOS™, mang lại hiệu quả chuyển mạch tốt hơn và giảm thiểu tổn thất.
- Khả năng chịu điện áp cao:
- Điện áp thoát nguồn (Drain-Source Voltage) lên đến 600V, phù hợp với các ứng dụng công suất cao.
- Dòng rò thấp:
- Dòng rò rất thấp, tăng độ bền cho các mạch điện hoạt động lâu dài.
- Đặc tính RDS(on) thấp:
- RDS(on) chỉ 0.199Ω, giúp giảm tổn thất dẫn điện.
Thông số kỹ thuật IPL60R199CP
Ứng dụng IPL60R199CP
- Bộ nguồn chuyển đổi (SMPS):
- Sử dụng trong các bộ nguồn xung hiệu suất cao.
- Thiết bị công nghiệp:
- Các bộ điều khiển động cơ, bộ chuyển đổi năng lượng.
- Hệ thống chiếu sáng:
- Ứng dụng trong các mạch điều khiển LED công suất lớn.
- Thiết bị tiêu dùng:
- Máy tính, tivi, các bộ nguồn dự phòng (UPS).
Sơ đồ chân và cấu tạo
Kích thước IPL60R199CP
Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Chưa có đánh giá nào.