6R199P IPW60R199CP Mosfet Kênh N 650V 16A TO-247 (tháo máy)
12,500₫
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0973549046
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển.
Giới thiệu chung IPW60R199CP
MOSFET 6R199P IPW60R199CP là một MOSFET kênh N (N-Channel) thuộc dòng sản phẩm CoolMOS™ C6 của Infineon, được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, tổn thất thấp, và độ tin cậy cao.
Đặc điểm nổi bật IPW60R199CP
-
Rds(on) thấp:
-
Giảm tổn hao dẫn điện, giúp thiết bị mát hơn và tiết kiệm năng lượng.
-
-
Khả năng chuyển mạch nhanh:
-
Tối ưu cho các ứng dụng tần số cao → giảm kích thước linh kiện đi kèm như biến áp, cuộn cảm.
-
-
Công nghệ CoolMOS™ C6:
-
Tối ưu hóa để đạt được hiệu suất tốt trong các ứng dụng chuyển đổi điện năng (power conversion) nhờ vào công nghệ trench MOSFET.
-
-
Chịu áp cao 650V:
-
An toàn trong các mạch điện lưới AC và chuyển đổi điện năng cao áp.
-
-
Đóng gói TO-247:
-
Tản nhiệt tốt, thích hợp cho dòng điện lớn.
-
Thông số kỹ thuật IPW60R199CP
Sơ đồ chân IPW60R199CP
Kích thước IPW60R199CP
Ứng dụng tiêu biểu IPW60R199CP
| Lĩnh vực | Ứng dụng cụ thể |
|---|---|
| Nguồn điện (SMPS) | Nguồn máy tính, nguồn công nghiệp |
| Biến tần | Biến tần năng lượng mặt trời, biến tần động cơ |
| PFC (Power Factor Correction) | Bộ sửa hệ số công suất chuẩn PFC Boost |
| UPS | Bộ lưu điện công nghiệp |
| Thiết bị hàn | Máy hàn điện tử, hàn hồ quang |
| Thiết bị LED công suất cao | Driver LED hiệu suất cao |
Lưu ý khi sử dụng IPW60R199CP
-
Tản nhiệt là yếu tố quan trọng: cần dùng tản nhiệt tốt hoặc keo tản nhiệt để đảm bảo nhiệt độ hoạt động an toàn.
-
Điều khiển Gate: Cần thiết kế mạch drive phù hợp với điện áp Gate (Vgs) thường từ 10V đến 12V để MOSFET hoạt động hiệu quả.
-
Kiểm tra điện áp ngược (Body Diode): Trong một số ứng dụng, đặc tính diode ngược cũng là một yếu tố cần quan tâm.
Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.