MBQ60T65PES được sản xuất bằng Công nghệ Field Stop Trench IGBT thế hệ thứ 2 tiên tiến của MagnaChip, không chỉ có hiệu suất chuyển mạch cao nhất mà còn có độ bền cao và chất lượng tuyệt vời cho ứng dụng biến tần năng lượng mặt trời, UPS, IH, máy hàn và PFC trong đó tổn thất dẫn điện thấp là điều cần thiết TO-247.
Đặc trưng MBQ60T65PES
- Chuyển mạch tốc độ cao & tổn thất điện năng thấp
- VCE(sat)= 1,85V @ IC= 60A
- Eoff= 0,53mJ @ TC = 25°C
- Trở kháng đầu vào cao
- trr= 110ns(điển hình) @diF/dt = 500A/μs
- Nhiệt độ tiếp giáp tối đa 175°C
Thông số kĩ thuật MBQ60T65PES
Sơ đồ chân MBQ60T65PES
Kích thước MBQ60T65PES
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.