5H11G, MJD45H11G, 45H11G Transistor PNP 8A-80V DIP TO-251

Giới Thiệu về 5H11G / MJD45H11G / 45H11G

5H11G, MJD45H11G, và 45H11G đều là các biến thể của cùng một PNP power transistor, có thể chịu được dòng điện cực đại lên tới 8A và điện áp cực đại lên tới 80V. Loại transistor này chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng công suất trung bình và cao, nơi yêu cầu khả năng chuyển mạch mạnh mẽ và khả năng tản nhiệt hiệu quả.

Transistor này có cấu trúc PNP, có nghĩa là khi Base có điện áp âm so với Emitter, dòng điện sẽ chảy từ Emitter đến Collector, và transistor sẽ hoạt động trong trạng thái dẫn. Đây là một trong những loại transistor quan trọng trong các ứng dụng cần điều khiển dòng điện lớn.

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh thực tế của MJD45H11G

Sơ đồ chân MJD45H11G

Thông số kỹ thuật của Transistor MJD45H11G

1. Loại transistor: PNP power transistor.
2. Điện áp cực đại (Vceo): 80V.
   • Điện áp cực đại giữa Collector và Emitter mà transistor có thể chịu được mà không bị hỏng.
3. Dòng cực đại (Ic): 8A.
   • Dòng điện tối đa mà transistor có thể dẫn từ Emitter đến Collector mà không bị hư hỏng.
4. Điện trở khi dẫn (Rds(on)): Khoảng 0.4Ω (ở dòng 8A).
   • Đây là điện trở của transistor khi ở trạng thái dẫn (ON), thể hiện mức độ tổn thất năng lượng khi dòng điện chảy qua transistor.
5. Lợi ích dòng (hFE): Khoảng 40 – 320 (tùy thuộc vào dòng điện).
   • hFE là độ lợi dòng (current gain), cho thấy khả năng khuếch đại dòng điện. Mức độ lợi dòng này giúp transistor khuếch đại tín hiệu và kiểm soát dòng điện lớn.
6. Gói đóng gói: TO-251.
   • Gói TO-251 có thiết kế nhỏ gọn, giúp tản nhiệt hiệu quả và dễ dàng lắp đặt vào mạch in PCB.
7. Nhiệt độ hoạt động: Khoảng -65°C đến 150°C.
   • Dải nhiệt độ hoạt động rộng giúp transistor có thể chịu được môi trường làm việc khắc nghiệt.

Kích thước của Transistor MJD45H11G

Chức Năng và Ứng Dụng MJD45H11G

Transistor 5H11G, MJD45H11G, và 45H11G có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng công suất trung bình đến cao. Một số ứng dụng điển hình bao gồm:

1. Nguồn chuyển mạch (Switching Power Supplies): 5H11G có thể được sử dụng trong các bộ nguồn chuyển mạch, nơi transistor chuyển đổi điện năng hiệu quả, giúp tiết kiệm năng lượng và tản nhiệt tốt.
2. Điều khiển động cơ (Motor Control): Với khả năng chịu dòng 8A, 5H11G có thể được dùng trong các mạch điều khiển động cơ DC, đặc biệt là trong các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.
3. Bộ khuếch đại công suất (Power Amplifiers): 5H11G có thể sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất, chẳng hạn như trong khuếch đại âm thanh hoặc các mạch khuếch đại tín hiệu công suất cao.
4. Mạch chuyển mạch tốc độ cao: Transistor này có thể hoạt động trong các mạch chuyển mạch yêu cầu tốc độ chuyển mạch nhanh, bao gồm các ứng dụng trong viễn thông hoặc truyền thông dữ liệu.
5. Điều khiển LED: 5H11G có thể sử dụng trong các mạch điều khiển LED, chẳng hạn như trong các ứng dụng chiếu sáng, giúp điều chỉnh cường độ sáng hoặc chuyển mạch đèn LED.
6. Các mạch bảo vệ quá tải: Transistor này cũng có thể sử dụng trong các mạch bảo vệ quá tải, giúp bảo vệ các thiết bị và mạch điện khỏi sự cố do quá dòng hoặc quá điện áp.
7. Ứng dụng trong điện tử công nghiệp: Các ứng dụng trong điện tử công nghiệp, nơi cần điều khiển dòng điện cao và chịu được tải trọng điện áp lớn, có thể sử dụng transistor 5H11G.

Datasheet MJD45H11G