4H11G, MJD44H11G, 44H11G Transistor NPN 8A-80V TO-251

Giới Thiệu về 4H11G / MJD44H11G / 44H11G

4H11G (hoặc MJD44H11G, 44H11G) là một NPN power transistor có thể chịu được điện áp tối đa lên tới 80V và dòng điện tối đa 8A, được đóng gói trong dạng TO-251, thường dùng trong các ứng dụng chuyển mạch và khuếch đại công suất. Đây là loại transistor công suất mạnh mẽ và thường được sử dụng trong các mạch điều khiển động cơ, nguồn điện, và mạch khuếch đại công suất.

Hình ảnh thực tế của MJD44H11G

Sơ đồ chân MJD44H11G

Thông số kỹ thuật của Transistor MJD44H11G

• Loại transistor: NPN Power Transistor.
• Điện áp cực đại (Vceo): 80V.
  • Điện áp cực đại giữa Collector và Emitter mà transistor có thể chịu được mà không bị hỏng.
• Dòng cực đại (Ic): 8A.
  • Dòng điện tối đa mà transistor có thể dẫn mà không bị hư hỏng. Đây là một dòng điện khá cao, cho phép transistor sử dụng trong các ứng dụng công suất cao.
• Điện trở (hFE): 40 – 320 (tùy thuộc vào dòng điện).
  • hFE là độ lợi dòng (current gain), cho thấy khả năng khuếch đại dòng điện của transistor. Mức độ lợi dòng này rất quan trọng trong việc xác định hiệu quả khuếch đại tín hiệu.
• Điện trở khi dẫn (Rds(on)): Khoảng 0.5Ω ở dòng 8A.
  • Đây là điện trở của transistor khi ở trạng thái dẫn (ON), phản ánh mức độ tổn thất năng lượng trong quá trình truyền tải dòng điện.
• Gói đóng gói: TO-251.
  • Gói TO-251 giúp transistor này tản nhiệt hiệu quả và thích hợp cho các ứng dụng công suất trung bình đến cao.
• Nhiệt độ hoạt động: Khoảng -65°C đến 150°C.
  • Dải nhiệt độ làm việc giúp linh kiện có thể hoạt động trong môi trường khắc nghiệt.

Nguyên Lý Hoạt Động MJD44H11G

Transistor NPN power transistor hoạt động theo nguyên lý cơ bản của một transistor, trong đó chân Base điều khiển dòng điện giữa chân Collector và Emitter.

1. Điện áp tại Base: Khi điện áp tại Base được cấp dương, dòng điện nhỏ sẽ chạy từ Base đến Emitter, tạo ra một dòng điện lớn từ Collector đến Emitter.
2. Khi điện áp tại Base cao hơn ngưỡng cần thiết (thường khoảng 1.2V đến 2V đối với các transistor công suất), dòng điện sẽ bắt đầu chạy từ Collector đến Emitter, và transistor sẽ chuyển sang trạng thái dẫn (ON state).
3. Dòng điện và điện áp: Dòng điện qua transistor được kiểm soát bởi tín hiệu ở chân Base. hFE cho biết mức độ khuếch đại dòng điện của transistor, ví dụ: nếu hFE = 100, thì một dòng điện nhỏ ở Base có thể điều khiển một dòng điện lớn ở Collector.

Chức Năng và Ứng Dụng MJD44H11G

Với khả năng chịu dòng 8A và điện áp 80V, 4H11G, MJD44H11G, và 44H11G thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất trung bình và các mạch yêu cầu chuyển mạch hoặc khuếch đại dòng điện lớn. Dưới đây là các ứng dụng điển hình:

1. Bộ khuếch đại công suất (Power Amplifiers): Transistor này có thể được sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất cao, chẳng hạn như khuếch đại âm thanh hoặc các ứng dụng khuếch đại tín hiệu trong các hệ thống âm thanh hoặc viễn thông.
2. Nguồn chuyển mạch (Switching Power Supplies): Được sử dụng trong các bộ nguồn chuyển mạch, nơi transistor chuyển mạch nhanh chóng để chuyển đổi điện năng, đặc biệt là trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao và dòng điện lớn.
3. Điều khiển động cơ (Motor Control): Trong các mạch điều khiển động cơ, đặc biệt là điều khiển động cơ DC, transistor này có thể kiểm soát dòng điện chạy vào động cơ, từ đó điều chỉnh tốc độ hoặc hướng quay của động cơ.
4. Điều khiển LED: Linh kiện này có thể được sử dụng trong các mạch điều khiển LED, bao gồm các ứng dụng chiếu sáng hoặc hệ thống chiếu sáng công cộng, nơi cần điều chỉnh cường độ sáng hoặc tắt mở đèn LED.
5. Các mạch bảo vệ quá tải: Trong các mạch bảo vệ quá tải hoặc bảo vệ ngắn mạch, transistor này giúp bảo vệ các thiết bị khỏi các sự cố liên quan đến dòng điện quá lớn.
6. Ứng dụng trong hệ thống điện công nghiệp: Các hệ thống điện công nghiệp yêu cầu điều khiển công suất lớn có thể sử dụng các transistor này để chuyển mạch dòng điện mạnh.
7. Các mạch chuyển mạch tốc độ cao: Với khả năng chuyển mạch nhanh và dòng điện cao, transistor này rất thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu tần số chuyển mạch cao như trong các mạch chuyển mạch RF (Radio Frequency).

Kích thước của Transistor MJD44H11G

Datasheet MJD44H11G