Giới thiệu chung về GT30F123
GT30F123 là một IGBT kênh N (Insulated Gate Bipolar Transistor) được thiết kế để xử lý dòng điện lên đến 200A và điện áp cực đại 300V. Nó thuộc dạng đóng gói TO-220, giúp dễ dàng tích hợp vào các hệ thống công suất trung bình đến cao, đặc biệt trong các ứng dụng chuyển mạch và điều khiển dòng điện. Loại IGBT này có tổn thất chuyển mạch thấp và được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng công suất.
Đặc điểm của GT30F123
- Dòng điện lớn (200A): Khả năng xử lý dòng điện cao lên đến 200A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
- Điện áp chịu đựng 300V: Được thiết kế để hoạt động ở các hệ thống điện áp trung bình, đảm bảo an toàn và ổn định trong các ứng dụng điều khiển và biến tần.
- Chuyển mạch nhanh: Với tốc độ chuyển mạch cao, IGBT giúp giảm thiểu tổn thất điện năng trong các hệ thống yêu cầu hiệu suất cao.
- Tổn thất thấp: Tối ưu hóa tổn thất trong quá trình dẫn và chuyển mạch, từ đó tăng hiệu quả tổng thể của hệ thống.
- Đóng gói TO-220: Dạng đóng gói nhỏ gọn, phổ biến cho các ứng dụng đòi hỏi tản nhiệt tốt và dễ dàng lắp đặt.
Ứng dụng của GT30F123
GT30F123 thường được ứng dụng trong nhiều hệ thống yêu cầu hiệu suất cao và ổn định trong điều khiển và chuyển mạch, bao gồm:
- Biến tần (Inverters): Sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ và biến tần cho ứng dụng công nghiệp hoặc gia dụng.
- Nguồn cấp điện: Được sử dụng trong các bộ nguồn cấp xung và các thiết bị chuyển đổi điện năng.
- Điều khiển động cơ: Ứng dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ có công suất lớn, đặc biệt trong các hệ thống công nghiệp.
- Thiết bị gia dụng: Dùng trong các thiết bị yêu cầu công suất lớn như lò vi sóng, máy giặt, và máy lạnh.
Thông số kỹ thuật của GT30F123
- Loại linh kiện: IGBT kênh N
- Dòng điện định mức (IC): 200A
- Điện áp cực đại (Vces): 300V
- Điện áp cổng (Vge): ±20V
- Tổn thất chuyển mạch:
- Tổn thất dẫn (VCE(sat)): thấp, giúp tối ưu hóa hiệu quả năng lượng
- Tần số chuyển mạch: Tối đa 20 kHz (tùy thuộc vào ứng dụng)
- Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
- Đóng gói: TO-220
- Điện trở nhiệt (Rth(j-c)): Thiết kế với điện trở nhiệt thấp, cải thiện khả năng tản nhiệt
Sơ đồ cấu tạo GT30F123
Kích thước GT30F123
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.