Giới thiệu IGBT
2MBI300U4H-120-50 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao do Fuji Electric sản xuất. Đây là mô-đun IGBT được thiết kế để xử lý các ứng dụng yêu cầu dòng điện và điện áp cao.
Sơ đồ mạch cấu tạo
Kích thước
Thông số Kỹ Thuật:
- Dòng điện cực đại (Collector Current – Ic):
- Dòng định mức: 300A
- Dòng đỉnh: Có thể chịu đựng dòng đỉnh cao hơn trong thời gian ngắn, nhưng thông số cụ thể phụ thuộc vào điều kiện làm mát và ứng dụng.
- Điện áp cực đại (Collector-Emitter Voltage – Vce):
- Điện áp định mức: 1200V
- Điện áp bảo hòa (Collector-Emitter Saturation Voltage – Vce(sat)):
- Mức điện áp: Thường dao động từ 2.0V đến 2.5V, cho phép tổn thất công suất thấp trong điều kiện hoạt động bình thường.
- Điện áp cổng-gốc (Gate-Emitter Voltage – Vge):
- Điện áp điều khiển: Thường từ 15V đến 20V.
- Điện áp đỉnh: 20V (tối đa).
- Công suất tổn hao (Power Dissipation – Pd):
- Công suất tổn hao: Có thể dao động từ vài chục watt đến vài trăm watt, tùy thuộc vào điều kiện làm mát và ứng dụng cụ thể.
- Nhiệt độ hoạt động (Operating Temperature):
- Khoảng nhiệt độ: -40°C đến +150°C.
- Nhiệt độ mối nối tối đa: 150°C.
- Tản nhiệt (Thermal Resistance – RθJC):
- Giữa mối nối và vỏ (Junction-to-Case): Khoảng 0.3°C/W đến 0.5°C/W, giúp tản nhiệt hiệu quả và bảo vệ mô-đun khỏi quá nhiệt.
Loại Kênh:
- Kênh N (N-Channel IGBT): 2MBI300U4H-120-50 là IGBT loại kênh N, có nghĩa là khi chân Gate có điện áp cao hơn chân Emitter, IGBT sẽ bật và cho phép dòng điện chảy từ Collector đến Emitter.
Ứng Dụng:
- Biến tần (Inverters): Sử dụng trong các hệ thống biến tần cho động cơ và thiết bị công suất cao, giúp cải thiện hiệu suất và điều khiển động cơ chính xác.
- Bộ điều khiển động cơ (Motor Drives): Điều khiển động cơ trong các ứng dụng công nghiệp yêu cầu hiệu suất cao và điều khiển chính xác.
- Nguồn xung (Switch Mode Power Supplies): Dùng trong các bộ nguồn xung với điện áp cao, cung cấp nguồn điện ổn định cho các thiết bị điện tử và công nghiệp.
Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.