Giới thiệu 2MBI200U4D-120-50
2MBI200U4D-120-50 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) của hãng Fuji Electric, được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp yêu cầu hiệu suất cao và độ tin cậy cao.
Sơ đồ mạch 2MBI200U4D-120-50
Kích thước 2MBI200U4D-120-50
Thông số kĩ thuật 2MBI200U4D-120-50
- Dòng điện định mức: 200A
- Điện áp định mức: 1200V
- Kiến trúc: Module nhiều chip, thường bao gồm nhiều IGBT và diodes trong một cấu trúc tích hợp.
- Tần số hoạt động: Thích hợp cho các ứng dụng tần số cao.
- Nhiệt độ hoạt động: Thường từ -40°C đến +125°C, tùy thuộc vào điều kiện cụ thể.
Đặc điểm nổi bật 2MBI200U4D-120-50
- Hiệu suất cao: Thiết kế tối ưu giúp giảm tổn thất năng lượng và tăng hiệu suất hoạt động trong các ứng dụng như biến tần và điều khiển động cơ.
- Độ tin cậy cao: Sử dụng vật liệu và công nghệ tiên tiến, đảm bảo độ bền và ổn định trong môi trường làm việc khắc nghiệt.
- Dễ dàng lắp đặt: Cấu trúc module cho phép dễ dàng kết nối và bảo trì, tiết kiệm thời gian cho kỹ thuật viên.
- Bảo vệ quá nhiệt: Tích hợp các biện pháp bảo vệ giúp ngăn chặn tình trạng quá nhiệt và hỏng hóc.
Ứng dụng 2MBI200U4D-120-50
- Biến tần: Sử dụng trong hệ thống điều khiển tốc độ động cơ, giúp tiết kiệm năng lượng và cải thiện hiệu suất.
- Nguồn cung cấp điện: Ứng dụng trong các nguồn điện công nghiệp và hệ thống cấp điện cho các thiết bị khác.
- Động cơ điện: Dùng để điều khiển các loại động cơ trong công nghiệp, bao gồm động cơ AC và DC.
- Hệ thống tự động hóa: Sử dụng trong các hệ thống điều khiển và tự động hóa công nghiệp.
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.