2DI150MA-050 TRANSISTOR FUJI 150A 500V

Giới thiệu về 2DI150MA-050

2DI150MA-050 là mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng điều khiển điện áp và dòng điện. Đây là một mô-đun tích hợp với hai IGBT kèm diode chống song song, thường được ứng dụng trong các bộ biến tần, bộ điều khiển động cơ và các hệ thống chuyển đổi năng lượng.

Đặc điểm 2DI150MA-050

• Cấu hình Dual IGBT:
  • Hai IGBT trong một gói tích hợp với diode chống song song giúp đơn giản hóa thiết kế mạch.
• Điện áp và dòng điện cao:
  • Đáp ứng tốt trong các ứng dụng công suất lớn.
• Khả năng chịu quá áp và quá dòng:
  • Được thiết kế với độ tin cậy cao để chịu được các điều kiện hoạt động khắc nghiệt.
• Kích thước nhỏ gọn và dễ lắp đặt:
  • Dạng mô-đun giúp việc kết nối và bảo trì thuận tiện.

Thông số kỹ thuật 2DI150MA-050

• Dòng điện cực đại (IC): 150A
• Điện áp cực đại (VCES): 500V
• Điện áp bảo vệ cách điện: 2500VAC (giữa chân và vỏ)
• Điện áp kích cổng (VGE): ±20V
• Công suất tổn hao (Ptot): ~
• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +125°C
• Dạng đóng gói: Module tiêu chuẩn với các chân đấu nối dễ dàng.

Ứng dụng 2DI150MA-050

• Bộ biến tần công nghiệp:
  • Sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ AC/DC.
• Hệ thống chuyển đổi năng lượng:
  • Bộ chỉnh lưu, inverter, và UPS.
• Ứng dụng năng lượng tái tạo:
  • Hệ thống năng lượng mặt trời hoặc gió.
• Thiết bị công nghiệp:
  • Máy hàn điện, bộ nguồn công suất lớn.

Sơ đồ tương đương 2DI150MA-050

Kích thước 2DI150MA-050

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Transistor 

Datasheet 2DI150MA-050